机译:采用液相沉积TiO2作为栅介质降低alGaas / InGaas pHEmT的亚阈值特性和闪烁噪声
机译:以液相沉积的TiO 2为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:以液相沉积的SiO_2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT中改进的冲击电离
机译:通过基于柠檬酸的选择性湿法刻蚀增强了栅极凹入和侧壁凹入的AlGaAs / InGaAs PHEMT的特性
机译:双栅极AlGaAs / InGaAs pHEMT的噪声特性
机译:具有高K电介质和金属栅电极的按比例缩放的NMOS器件的闪烁噪声
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:栅极下沉对InGap / alGaas / InGaas增强模式pHEmT器件性能的影响
机译:相位共轭反馈对半导体激光器噪声特性的影响